半導體製程概論(增訂版)
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半導體製程概論(增訂版)

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簡介

第一章──更新四張圖,並加入2000年後新興製程與元件技術的發展。
第四章──更新一張圖,並加入浸潤式微影、雙重成像與深紫外線微影技術之資訊。
第五章──增加電漿內組成與性質的介紹,以及對蝕刻機制的描述。
第七章──增加對新式快速升溫技術的介紹。
第八章──更新二張圖,並加入矽鍺膜、選擇性磊晶、電鍍銅、原子層沉積與鎳化矽等技術之資訊。
第九章──更新六張圖,並加入金屬絕緣體金電容、形變通道、高介電閘氧層、取代金屬閘、鰭式場效電晶體等技術之資訊。
第十一章──更新四張圖,並加入元件微縮趨勢、微影技術發展、技術發展方向與瓶頸與三維積體電路技術的發展等資訊。
此外,每個章節也針對原版內容與目前發展狀況不相符,或描述略有不清楚的地方將以修正或改寫。


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